抑制性突触后电位形成时,突触后膜通透性增加的离子是

shuhaiku2019-12-17  18

问题 抑制性突触后电位形成时,突触后膜通透性增加的离子是

选项 A.Na,K,尤其是KB.Ca,Cl,尤其是CaC.Na,Cl,尤其是NaD.K,Cl,尤其是ClE.K,Ca,Na,尤其是Ca

答案D

解析抑制性突触后电位的形成是因为突触后膜对Cl[img]/upload/tiku/302/9123347_1.gif[/img](为主)和K[img]/upload/tiku/302/9123347_1_1.gif[/img]的通透性升高,引起Cl[img]/upload/tiku/302/9123347_1_2.gif[/img]的内流和K[img]/upload/tiku/302/9123347_1_3.gif[/img]的外流,使膜内负电位更负,引进突触后神经元产生抑制。
转载请注明原文地址:https://ti.zuoweng.com/ti/NYg9KKKQ