抑制性突触后电位形成是突触后膜对某些离子通透性增加,包括 A.Na^+ ,K^

shuhaiku2020-05-20  7

问题 抑制性突触后电位形成是突触后膜对某些离子通透性增加,包括A.Na^+ ,K^+ ,尤其是K^+B.Ca^2+ ,Clˉ ,尤其是Ca^2+C.Na^+ ,Clˉ ,尤其是Na^+D.K^+ ,Clˉ ,尤其是ClˉE.K^+ ,Ca ,Na ,尤其是Ca^2+

选项

答案D

解析抑制性突触后电位的形成是因为突触后膜对Cl(为主)和K^+ 的通透性升高,引起Clˉ 的内流和K^+ 的外流,使膜内负电位更负,引进突触后神经元产生抑制。
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