2. 金融经济
  3. 抑制性突触后电位形成是突触后膜对某些离子通透性增加，包括

抑制性突触后电位形成是突触后膜对某些离子通透性增加，包括

Loveyou2019-12-17  40
问题 抑制性突触后电位形成是突触后膜对某些离子通透性增加，包括
选项 A:Na<sup>+</sup>,K<sup>+</sup>，尤其是K<sup>+</sup>B:Ca<sup>2+</sup>,Cl<sup>-</sup>，尤其是Ca<sup>2+</sup>C:Na<sup>+</sup>,Cl<sup>-</sup>，尤其是Na<sup>+</sup>D:K<sup>+</sup>,Cl<sup>-</sup>，尤其是Cl<sup>-</sup>E:K<sup>+</sup>,Ca<sup>2+</sup>,Na<sup>+</sup>，尤其是Ca<sup>2+</sup>
答案D
解析抑制性突触后电位的形成是因为突触后膜对Cl<sup>-</sup>（为主）和K<sup>+</sup>的通透性升高，引起Cl<sup>-</sup>的内流和K<sup>+</sup>的外流，使膜内负电位更负，引进突触后神经元产生抑制。
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