抑制性突触后电位形成是突触后膜对某些离子通透性增加,包括A:Na+,K+,尤其是K+ B:Ca2+,Cl-,尤其是Ca2+ C:Na+,Cl-,尤其是Na+ D

admin2020-12-24  12

问题 抑制性突触后电位形成是突触后膜对某些离子通透性增加,包括

选项 A:Na+,K+,尤其是K+
B:Ca2+,Cl-,尤其是Ca2+
C:Na+,Cl-,尤其是Na+
D:K+,Cl-,尤其是Cl-
E:K+,Ca2+,Na+,尤其是Ca2+

答案D

解析抑制性突触后电位的形成是因为突触后膜对Cl-(为主)和K+的通透性升高,引起Cl-的内流和K+的外流,使膜内负电位更负,引进突触后神经元产生抑制。
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