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  3. 抑制性突触后电位形成是突触后膜对某些离子通透性增加，包括A:Na+,K+，尤其是K+ B:Ca2+,Cl-，尤其是Ca2+ C:Na+,Cl-，尤其是Na+ D

抑制性突触后电位形成是突触后膜对某些离子通透性增加，包括A:Na+,K+，尤其是K+ B:Ca2+,Cl-，尤其是Ca2+ C:Na+,Cl-，尤其是Na+ D

admin2020-12-24  44
问题 抑制性突触后电位形成是突触后膜对某些离子通透性增加，包括
选项 A:Na+,K+，尤其是K+
B:Ca2+,Cl-，尤其是Ca2+
C:Na+,Cl-，尤其是Na+
D:K+,Cl-，尤其是Cl-
E:K+,Ca2+,Na+，尤其是Ca2+
答案D
解析抑制性突触后电位的形成是因为突触后膜对Cl-（为主）和K+的通透性升高，引起Cl-的内流和K+的外流，使膜内负电位更负，引进突触后神经元产生抑制。
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